「ED-SCopeシリーズ表面/内部欠陥検出装置(EDマシン)」をご紹介します。主に各種の光透過または光不透過の半導体ウエハ欠陥検出に使用されています。
独自の光学技術、照明技術、画像処理技術により、ED機は正常に確認しにくい欠陥を映像ではっきり可視化し、一般的な検出では見えない欠陥をより広い視野で見ることができる。
深さZ方向はナノメートルレベルに達することができ、同時に検出結果はマクロ観察を行い、被測定物のnano欠陥を迅速に検出/確認することができる。
半導体、化合物半導体(Si、SiC、GaAs、Ga 2 O 3、InP、GaN、LiTaO 3など)、半導体加工品(貼り合わせウエハ、堆積ウエハ、ウエハリソグラフィなど)、ウエハ表面マスクまたは基体に発生する欠陥(スクラッチ、クラック、くぼみ、透かし、切断痕、スリップライン、空洞、異物など)、ED技術により、直観的に液晶ディスプレイで目視検査、評価することができる。さらに、ED技術を通じてウェハの欠陥位置、欠陥サイズ、全貌などのデータを細かく無極細に記録するとともに、デジタル化管理を容易に行うことができる。非常に精度の高いワンストップ自動分析検査装置となっている。
ガラス、水晶、サファイア等の表面に残るナノスケールの微細研磨痕、オレンジピール、スクラッチ及び内部の微細な脈理、結晶欠陥等は、目視による検査、評価も可能である。表面粗さの管理記録、研磨条件の設定改善、蒸着後の歩留まり向上に大きな助けがある。
また、自動搬送システムロボット(オプション、クリーンルーム設置対応)を接続することで、工場内の無人自動分析検査を実現することができる。
《設備仕様》
● 検出方式:反射式&屈折式
● USBカメラ:500万画素カラー
● 感光調整機能:8段切替可能
● ED処理自動化装置(PC自動制御)
● ED処理自動化ソフトウェア
● 視野範囲:Φ136(H)×115(V)~34(H)×28(V)mm
● 1視野処理時間:約10秒
● ホワイトLED:3 W
● 設備サイズ:300(W)×470(D)×900(H)mm
★ 複合立体化画像処理(ED処理)
★ 欠陥抽出処理(EDX処理)
★ デジタル化処理(EDA処理)